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化合物半導(dǎo)體成為集成電路產(chǎn)業(yè)新關(guān)注點(diǎn)

2020-05-19 12:01:49 191

OFweek電子工程網(wǎng)訊 化合物半導(dǎo)體是區(qū)別于硅(Si)和鍺(Ge)等傳統(tǒng)單質(zhì)的一類(lèi)半導(dǎo)體材料,主要包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等。相對(duì)于硅材料,化合物半導(dǎo)體性能更加優(yōu)異,制作出的器件相對(duì)于硅器件具有更優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征。


當(dāng)前,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革,化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點(diǎn),我國(guó)應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局,搶占發(fā)展的主動(dòng)權(quán)。


集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革驅(qū)動(dòng)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展。一是集成電路產(chǎn)業(yè)遵循“摩爾定律”演進(jìn)趨緩,以新材料、新結(jié)構(gòu)以及新工藝為特征的“超越摩爾定律”成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。二是曾經(jīng)驅(qū)動(dòng)集成電路市場(chǎng)高速增長(zhǎng)的PC和智能手機(jī)市場(chǎng)疲軟,未來(lái)5G和物聯(lián)網(wǎng)將成為新風(fēng)口。三是全球能源和環(huán)境危機(jī)突出,能源利用趨向低功耗和精細(xì)管理?;衔锇雽?dǎo)體作為新材料和新器件,在微波通信器件、光電子器件和功率器件中有著同類(lèi)硅器件所不具備的優(yōu)異性能,將在以上應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。


國(guó)內(nèi)外圍繞化合物半導(dǎo)體的并購(gòu)案頻發(fā)。近年來(lái),國(guó)際巨頭企業(yè)紛紛圍繞化合物半導(dǎo)體展開(kāi)并購(gòu),2014年8月,功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者德國(guó)英飛凌公司以30億美元收購(gòu)美國(guó)國(guó)際整流器公司(IR),取得了其硅基GaN功率半導(dǎo)體制造技術(shù);同年9月,設(shè)計(jì)和制造GaAs和GaN射頻芯片的RFMD公司和TriQuint公司宣布合并為新的RF解決方案公司Qorvo。國(guó)內(nèi)企業(yè)和資本也圍繞化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展開(kāi)收購(gòu)。


國(guó)家“大基金”投資三安光電布局化合物半導(dǎo)體。2015年6月,國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(“大基金”)投資48.39億元入股三安光電,推動(dòng)三安光電下屬三安集成電路公司圍繞GaAs和GaN代工制造,開(kāi)展境內(nèi)外并購(gòu)、新技術(shù)研發(fā)、新建生產(chǎn)線(xiàn)等業(yè)務(wù)。同時(shí),國(guó)家開(kāi)發(fā)銀行也以最優(yōu)惠利率向三安提供200億元貸款。


2016年2月,泉州市政府、“大基金”、華芯投資、三安集團(tuán)等在晉江市合資成立安芯基金,基金目標(biāo)規(guī)模500億元,首期出資規(guī)模75.1億元,將主要投向III-V族化合物集成電路產(chǎn)業(yè)。

標(biāo)簽: pcba

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