表面組裝元器件發(fā)展至今，已有多種類型封裝的SMC/SMD 用于電子產(chǎn)品的生產(chǎn)，如圖1-1-4 所示。IC 引腳間距由最初的1.27mm 發(fā)展至0.8mm，0.65mm，0.4mm 和0.3mm，SMD器件由SOP（Small Outline Package，小外形封裝）發(fā)展到BGA（Ball Grid Array，球柵陣列封裝）、CSP（Chip Scale Package，芯片級封裝）以及FC（Flip Chip，倒裝焊裸芯片），其指導思想仍是I/O 越來越多，可靠性越來越好。

                                          多種多樣的SMC/SMD封裝

新型器件的出現(xiàn)必然帶來眾多的優(yōu)越性，如CSP 不僅是一種芯片級的封裝尺寸，而且是可確認的優(yōu)質(zhì)芯片，具有體積小、質(zhì)量輕、超?。▋H次于FC）等優(yōu)點，但也存在一些問題，特別是能否適應大批量生產(chǎn)。一種新型封裝結(jié)構(gòu)的器件，盡管有無限的優(yōu)越性，但如果不能解決工業(yè)化生產(chǎn)的問題，就不能稱為好的封裝。CSP 就是因其制作工藝復雜，即制作中需要用微孔基板，否則難以實現(xiàn)芯片與組件板的互連，從而制約了它的發(fā)展。新型的IC 封裝的趨勢是尺寸必然更小、I/O 更多、電氣性能更高、焊點更可靠、散熱能力更強，并能實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。

1、MCM（Multi Chip Module，多芯片組件）級的模塊化芯片

目前，MCM 是以多芯片組件形式出現(xiàn)的，一旦它的功能具有通用性，組件功能就會演化成器件的功能，它不僅具有強大的功能，而且具有互換性，并能實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。

2、芯片電阻網(wǎng)絡(luò)化

目前已經(jīng)面世的電阻網(wǎng)絡(luò)由于標準化和設(shè)計限制，尚未能廣泛推廣，若在芯片上集成無源組件，再隨芯片一起封裝，將會使器件的功能更強大。

3、SIP（System in Package，系統(tǒng)級封裝）

SIP 稱為系統(tǒng)級封裝或封裝內(nèi)系統(tǒng)，是多芯片封裝進一步發(fā)展的產(chǎn)物。SIP 中可封裝不同類型的芯片，芯片之間可進行信號存取和交流，從而實現(xiàn)一個系統(tǒng)所具備的功能。

4、SoC（System on Chip，系統(tǒng)級芯片）

SoC 稱為芯片上系統(tǒng)，又稱為系統(tǒng)級芯片，它的意義就是在單一芯片上具備一個完整的系統(tǒng)運作所需的IC，這些主要IC 包括處理器，輸入/輸出裝置，將各功能組快速連接起來的邏輯線路、模擬線路，以及該系統(tǒng)運作所需要的內(nèi)存。這種將系統(tǒng)級的功能模塊集成在一塊芯片上使集成度更高，器件的引出端數(shù)為300～400，是典型的硅圓片級封裝。

5、SOl（Silicon On lnsulator，硅絕緣）技術(shù)

對硅芯片技術(shù)的深入研究，使得SOI 技術(shù)得以嶄露頭角，SOI 技術(shù)能與硅集成工藝完全相容，完全繼承了硅材料與硅集成電路的成果，并有自己獨特的優(yōu)勢。

CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補型金屬氧化物半導體）是超大規(guī)模集成電路發(fā)展的主流，硅絕緣CMOS 是全介質(zhì)隔離的，無閂鎖效應，有源區(qū)面積小，寄生電容小，漏電流小，在集成電路的各個領(lǐng)域有廣泛應用。SOI 技術(shù)的成功為三維集成電路提供了實現(xiàn)的可能性，也為進一步提高集成電路的集成度和速度開辟了一個新的發(fā)展方向。因此，SOI 技術(shù)的出現(xiàn)必將會給現(xiàn)有的IC 封裝形式帶來新的挑戰(zhàn)。

6、納米電子器件

納米技術(shù)的研究為微電子技術(shù)開創(chuàng)了新的前途和應用領(lǐng)域。美國從1982 年就開始研究量子耦合器件，德國、法國、日本等國家也都在近年加大對納米技術(shù)的投入。美國TI 公司是最早開始研究納米器件的公司，包括量子耦合器件、模擬諧振隧道器件、量子點諧振隧道二極管、諧振隧道晶體管、納米傳感器、微型執(zhí)行器以及與這兩者有關(guān)的MEMS 系統(tǒng)。美國IBM公司與日本日立制作所中央研究所都已研制成功單電子晶體管、量子波器件。

表面組裝元器件的發(fā)展隨著芯片內(nèi)容的增多，I/O 端子數(shù)也增多，必將帶來芯片封裝形式的改進，在新材料、新技術(shù)不斷涌現(xiàn)的情況下，必將會出現(xiàn)性能更優(yōu)、組裝密度更高的新的封裝形式。