IC Insights表示，2017年預(yù)計超過809億美元資本支出將用于代工廠（28％）和NAND閃存升級（24％）。

2017年預(yù)計增長53％，DRAM價格自2016年第三季度開始上漲，DRAM / SRAM業(yè)務(wù)板塊預(yù)計今年主要產(chǎn)品類型的資本支出增幅最大。

隨著DRAM價格自2016年第三季度開始上漲，DRAM廠商再次加大了對這一領(lǐng)域的支出。

盡管大部分支出正在向技術(shù)進(jìn)步發(fā)展，但DRAM生產(chǎn)商SK Hynix最近承認(rèn)，僅憑技術(shù)進(jìn)步就無法跟上需求，而是需要開始增加晶圓啟動能力。

即使今年的DRAM消費激增，2017年閃存的資本支出（190億美元）仍將遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于分配給DRAM / SRAM類別（130億美元）的支出。

總體而言，IC Insights認(rèn)為，2017年的閃存基本上都將用于3D NAND處理技術(shù)，包括在韓國平澤的三星巨型新晶圓廠生產(chǎn)3D NAND。

閃存部分的資本支出預(yù)計在2017年將錄得33％的激增，但在2016年強勁增長23％之后，記憶市場的歷史先例表明，太多的支出通常會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和隨后的定價弱點。

隨著三星，SK海力士，美光，英特爾，東芝/西部數(shù)據(jù)/ SanDisk和XMC /長江存儲技術(shù)都計劃在未來幾年內(nèi)大幅提升3D NAND閃存容量（新中國生產(chǎn)商可能進(jìn)入市場） IC Insights認(rèn)為，面對3D NAND閃存市場需求的未來風(fēng)險很高，而且日益增長。