三星電子宣布，在其晶圓代工產(chǎn)品組合中將增加11nm的FinFET工藝。11nm LPP或者11LPP是從上一代14nm工藝進(jìn)一步發(fā)展而來(lái)，它能提供15%的性能提升，減少10%面積，但功耗卻保持不變。

三星表示，已經(jīng)完成了“未來(lái)三年跨越14nm至11nm，10nm，8nm和7nm的綜合處理路線(xiàn)圖”。其中11nm工藝計(jì)劃于2018年上半年準(zhǔn)備投產(chǎn)。

三星還證實(shí)，采用EUV（極紫外）光刻技術(shù)的7LPP的開(kāi)發(fā)工作正在按期進(jìn)行，目標(biāo)是在2018年下半年初期生產(chǎn)。

自2014年以來(lái)，三星已經(jīng)使用EUV光刻技術(shù)處理了近20萬(wàn)張晶圓，并且根據(jù)其經(jīng)驗(yàn)，最近在過(guò)程開(kāi)發(fā)中看到了明顯的成果，例如256Mb SRAM實(shí)現(xiàn)了80％的產(chǎn)量