無錫焊料或無鉛球腳，皆為高錫量的合金，其本身原本就會長須，幸好還不致長成了長須而讓危險性大為降低(5 0μm以下)。零件腳表面所鍍的可焊純錫層，由于光澤劑有機物之共存于鍍錫層中，在已呈現(xiàn)壓縮性內(nèi)應力的彼此傾軋排擠下，會不斷的長出長須(250μm)，那才是讓人不寒而慄的后患。其中光亮錫又比霧面錫更易長須，且一旦銅腳或銅面直接電鍍純錫時，則在后續(xù)的老化過程中，其介面當然也會逐漸長出Cu6Sn5的IMC來。

各種高錫量的LF焊料，在各種加速老化中如癩痢頭般的短須

圖1、各種高錫量的LF焊料，在各種加速老化中如癩痢頭般的短須  (5 0μm以下者)，目前均可允收。
銅錫之間所生長的eta-IMC

圖2、當引腳銅底材或其他金屬底材，鍍了底銅又再鍍了面錫后，其銅錫之間所生長的eta-IMC，會逐漸攻入純錫結(jié)晶的疆界中，在展現(xiàn)壓縮應力下，將助紂爲惡而不斷擠出錫鬚來。
電路板鍍純錫前若能先打底鍍鎳時，將可減低其長須的風險

圖3、通常QFP密集Lead  Frame接腳之間，一旦長出較長的錫須后，即將出現(xiàn)可怕的短路危機。此時底材(A11oy42)鍍純錫前若能先打底鍍鎳時，將可減低其長須的風險。
電路板焊接時發(fā)生收縮式的擠須動作

圖4、當QFP或J型等引腳底材A11oy42，為了焊接而必須在表面鍍純錫時，由于底材與面錫兩者的熱脹系數(shù)(CTE)的落差頗大(Sn為23ppm，F(xiàn)eNi42為4.3ppm)，于是在后續(xù)熱脹冷縮的環(huán)境申，就會發(fā)生收縮式的擠須動作。
此等介面所長出的六銅五錫IMC，會往電鍍純錫品格的疆界(B oun dary)處進攻。此種品格交界面，每每是有機物等雜質(zhì)聚集之地，經(jīng)常處于較高能量的不安定狀態(tài)，最容易被不斷長厚的IMC所攻入。于是在IMC對品格的左右夾擊壓縮下，等于又多了一股幫忙擠須的惡勢力!不過一旦在高溫中長出了惡性的C u3S n后，對錫須而言，卻反而成為消除Cu6Sn5擠壓錫須的阻礙層，正是一失也必有一得!
為了消除電鍍錫層本身所夾帶的內(nèi)應力，某些大公司即要求電鍍錫的元件，需進行后續(xù)的高溫回火軔化處理(Annealing)，以消除有機物所造成的壓縮性內(nèi)應力，進而減少錫須的發(fā)生。不過一善之后也常有一惡隨之，高溫軔化雖可減輕有機物所帶來的內(nèi)應力，但也當然必定會引發(fā)IMC以及額外擠壓錫須的動作，一得一失之間實在讓人難以取捨而迷惑不已!
電路板純錫層表面經(jīng)常會生成無色的薄薄氧化層或較厚而呈黃色的氧化錫外殼

圖5、電路板純錫層表面經(jīng)常會生成無色的薄薄氧化層或較厚而呈黃色的氧化錫外殼，一旦錫鬚頂破局部較弱外殼而伸出時其側(cè)面外圍即會出現(xiàn)不規(guī)則破口所刮刻的條紋，此與擠牙膏的動作如同一轍。
也有PCB廠家認為鍍錫之前應先鍍底鎳，以其減少錫銅IMC的助虐而盼能防堵錫須。經(jīng)過多種加速老化的証明，此種增加成本之舉所帶來的效益，老實說也的確沒啥了得，只能延緩鍚須的冒出而無法徹底遏止成長。
如刻意將氧化錫外殼小心剝除， 再將試樣放置于無氧環(huán)境中進行加速老化試驗，其所擠出的錫鬚竟然與自然毛髮相同

圖6、如刻意將氧化錫外殼小心剝除， 再將試樣放置于無氧環(huán)境中進行加速老化試驗，其所擠出的錫鬚竟然與自然毛髮相同，而不再出現(xiàn)特殊的外圍條紋花樣了 。
焊點的介面I M C，正猶如大樹的老根或大樓的地基一樣，無此則無焊接之存在。焊點表面的縮錫(D e-Wetting)與否，正是內(nèi)部介面有無I M C的呈現(xiàn)。未形成I M C的縮錫區(qū)，其本應附著的焊錫量，會被附近已有I M C的沾錫區(qū)所搶奪拉走，因而造成外觀的高低不平。凡當墊面生銹(連助焊劑無法去去除者）、熱量不足、以及無鉛焊接時少量鉛與鉍的污染，都是無法順利生長IMC與焊牢的根本原因。深切明瞭此道者，現(xiàn)場之解困正如同順籐摸瓜，方向正確時遲早一定會到達目的地。
否則一味杯弓蛇影疑神疑鬼，亂槍打鳥下即便偶有巧獲，也只是瞎貓碰到了死耗子。不斷開會式的解困法，只能分攤痛辛苦逃避責任。故步自封一廂情愿下，真相難明病根不除，各種問題勢必還會永遠輪流再現(xiàn)的。