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手機PCB布線 Layout有風險下筆需謹慎

2020-05-19 12:01:49 385

一、在手機pcb Layout中要注意哪些問題,還有顯示部分需要布線么?  

layer1: 器件 器件

layer2: signal 大部分地址和數(shù)據(jù)signal、部分模擬線(對應3層是地)

layer3: GND 部分走線(包括鍵盤面以及2層走不下的線)、GND

Layer4: 帶狀線 需穿過射頻的基帶模擬控制線(txramp_rf、afc_rf)、音頻線、基帶主芯片之間的模擬接口線、主時鐘線

Layer5: GND GND

Layer6: 電源層VBAT、LDO_2V8_RF(150mA)、VMEM(150mA)、VEXT(150mA)、VCORE(80mA) 、VABB(50mA)、VSIM(20mA) 、VVCXO(10mA)

Layer7: signal 鍵盤面的走線

Layer8: 器件 器件

pcba


二.具體布線要求

1.總原則:

布線順序:射頻帶狀線及控制線(天線處)――基帶射頻模擬接口線(txramp_rf、afc_rf)――基帶模擬線包括音頻線與時鐘線――模擬基帶和數(shù)字基帶接口線――電源線――數(shù)字線。


2. 射頻帶狀線及控制線布線要求

RFOG、RFOD網(wǎng)絡為第四層的帶狀線,線寬為3mil,其上下兩層均用地包住,帶狀線寬度根據(jù)實際板材厚度、以及走線長來確定;由于帶狀線均需打2~7的孔,注意底層在這些孔附近用地包住,并且其他層走線不要離這些孔太近;

RX_GSM、RX_DCS、RX_PCS網(wǎng)絡為頂層射頻接收信號線,線寬走8mil;RFIGN、RFIGP、RFIDN、RFIDP、RFIPN、RFIPP網(wǎng)絡為頂層和第二層射頻接收信號線,定層線寬走8mil,第二層線寬走4mil;

GSM_OUT、DCS_OUT、TX_GSM、TX_DCS/PCS網(wǎng)絡為頂層功放輸出發(fā)射信號線,線寬走12mil為宜;

天線開關輸出到測試座、天線觸點的頂層信號線ANT_1、ANT_2、ANT_3、ANT,線寬為12mil為宜。


3. 與射頻接口模擬線 (走四層)

TXRAMP_RF、AFC_RF網(wǎng)絡的走線盡量加粗且兩邊用地線圍住,線寬走6mil;

QN_RF、QP_RF;IN_RF、IP_RF為兩對差分信號線,請線長盡可能相等,且盡可能間距相等,在第四層的走線寬為6mil。


4. 重要的時鐘線(走四層)
13MHz的晶體U108以及石英晶體G300部分為噪聲敏感電路,其下面請盡量減少信號走線。

石英晶體G300的兩個端子OSC32K_IN、OSC32K_OUT步線時注意要平行走線,離D300越近越好。請注意32K時鐘的輸入和輸出線一定不能交叉。

SIN13M_RF、CLK13M_IN、CLK13M_T1、CLK13M_T2、CLK13M_IN_X、CLK13M_OUT網(wǎng)絡的走線請盡量短,兩邊用地線圍住,走線的相鄰兩層要求都是地。

時鐘建議走8mil


5.下列基帶模擬線(走四層)

以下是8對差分信號線:

RECEIVER_P、RECEIVER_N; SPEAKER_P、SPEAKER_N; HS_EARR、 HS_EARL ;HS_EARR_T1、 HS_EARL_T1 ;HS_MICP、

HS_MICN;MICP、MICN;USB_DP、USB_DN;USB_DP_T1、USB_DN_T1;USB_DP_X、USB_DN_X; 

為避免相位誤差,線長盡可能相等,且盡可能間距相等。

BATID是AD采樣模擬線,請走6mil;

TSCXP、TSCXM、TSCYP、TSCYM四根模擬線也按照差分信號線走,請走6mil。


6. AGND與GND分布(?)

AGND和GND網(wǎng)絡在原理圖中沒有連在一起,布板完成之后用銅箔連起來,具體位置如下:

D301芯片底部布成模擬地AGND。模擬地AGND和數(shù)字地GND在D301的AGND(PIN G5)附近連接。

D400芯片底部布成MIDI模擬地MIDIGND,MIDI模擬地MIDIGND和數(shù)字地GND在D400的16管腳附近連接。

AGND最好在50mil以上。


8.數(shù)字基帶和外圍器件之間重要接口線

LCD_RESET、 SIM_RST、CAMERA_RESET、MIDI_RST、NFLIP_DET、MIDI_IRQ、IRQ_CAMERA_IO、IRQ_CAMERA_IO_X、PENIRQ為復位信號和中斷信號,請走至少6mil的線。

POWE_ON/OFF走至少6mil的線。

7. 數(shù)字基帶與模擬基帶之間的重要接口線:

VSDI、VSDO、VSFS、BSIFS、BSDI、BSDO、BSOFS、ASDI、ASFS、ASDO為高速數(shù)據(jù)線,線盡可能短、寬(6mil以上)、且線周圍敷銅;

BUZZER、ASM、ABB_INT、RESET、ABB_RESET為重要的信號線,請走至少6mil的線,短且線周圍敷銅;


9.電源:

(1)負載電流較大的電源信號(走六層):下列電源信號負載電流依次減小,最好將其在電源層分割: CHARGE_IN、VBAT、LDO_2V8_RF(150mA)、VMEM(150mA)、VEXT(150mA)、VCORE(80mA) 、VABB(50mA)、VSIM(20mA) 、VVCXO(10mA),需要走線時VBAT、CHARGE_IN最好40以上。

(2)負載電流較小的電源信號:VRTC、VMIC電流較小,可布在信號層。

(3)充電電路:與XJ600相連的VBAT 、CHARGE_IN,與VT301相連的ISENSE 電源輸線,電流較大,線請布寬一點,建議16mil。

(4)鍵盤背光: KB_BACKLIGHT、KEYBL_T1有50mA電流, R802~R809、VD801~VD808流過的電流是5mA,走線時要注意。

(5)馬達驅動:VIBRATOR、VIBRATOR_x網(wǎng)絡流過電流是100mA。

(6)LCD背光驅動:LCD_BL_CTRL、LCD_BL_CTRL_X網(wǎng)絡流過電流是60mA.

(7)七色燈背光驅動:LPG_GREEN、LPG_RED、LPG_BLUE、LPG_RED_FPC、LPG_GREEN_FPC、LPG_BLUE_FPC、LPG_RED_FPC_x、LPG_GREEN_FPC_x、LPG_BLUE_FPC_x網(wǎng)絡流過電流是5mA,建議走6mil;LPG_OUT流過電流是20mA,建議走8 mil以上,并遠離模擬信號走線和過孔。


10.關于EMI走線

(1)Z701,Z702,Z703的輸出網(wǎng)絡在到達XJ700之前請走在內(nèi)層,盡量走在2層,然后在XJ700管腳附近打via2~1的孔,打到TOP層。

(2) 從RC濾波走出來的網(wǎng)絡LPG_RED_FPC_x、LPG_GREEN_FPC_x、LPG_BLUE_FPC_x、VIBRATOR_x、NCS_MAIN_LCD_x、NCS_SUB_LCD_x、ADD01_x在到達XJ700之前請走在內(nèi)層,走在3層或者6層或7層,然后在XJ500管腳附近打孔,打到TOP層。

(3)鍵盤矩陣的網(wǎng)絡不能在第八層走線,盡量走在第七層,第七層走不下可以走到第三層。

(4)鍵盤面底部和頂部耳機部分的走線盡量在第八層少走線。希望鍵盤面到時可以大面積鋪地。

(5)SIM卡XJ601下面(在表層)盡量大面積鋪地,少走信號線。


11.元器件外圍屏蔽條為0.7mm,屏蔽條之間間隔0.3mm,焊盤距離屏蔽條0.4mm,該位置已留出。


12.基帶共有2個BGA器件,由于BGA導電膠只能從一個方向滴膠,所以以射頻面為正面,統(tǒng)一在BGA的左側留出了0.7mm的滴膠位置。


13.20H原則。電源平面比地平面縮進20H。


14.過孔尺寸:1~2,7~8層過孔是0.3mm/0.1mm, 其余過孔是0.55mm/0.25mm。


15.頂層PCB邊緣要有1.5-2mm的寬的接地條,并打孔。


16.在敷完銅后,用過孔將各個層的地連接起來。


17. 注意相鄰層盡量避免平行走線,特別是對第四層的線而言,第三層走線要特別小心。

標簽: pcba

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