PCBA加工中，摩擦起電和人體帶電常有發(fā)生，PCBA產品在生產、包裝運輸及裝聯成整機的加工、調試、檢測的過程中，難免受到外界或自身的接觸摩擦而形成很高的表面電位。如果操作者不采取靜電防護措施，人體靜電電位可高達1.5~3kV因此無論摩擦起電還是人體靜電，均會對靜電敏感電子器件造成損壞。根據靜電的力學和放電效應，其靜電損壞大體上分為兩類，這就是由靜電引起的塵埃的吸附，以及由靜電放電引起的敏感元器件的擊穿。

1.靜電吸附：

在半導體和半導體器件制造過程廣泛采用SiO2及高分子物質的材料，由于它們的高絕緣性，在生產過程中易積聚很高的靜電，并易吸附空氣中的帶電微粒，導致半導體介面擊穿、失效。為了防止危害，半導體和半導體器件的制造必須在潔凈室內進行。同時，潔凈室的墻壁、天花板、地板和操作人員及一切工具、器具均應采取防靜電措施。

2.靜電擊穿和軟擊穿：

超大規(guī)模集成電路集成度高，輸入阻抗高，這類器件受靜電的損害越來越明顯。特別是金屬氧化物半導體（MOS）器件，受靜電擊穿的概率更高。

現以MOS場效應晶體管（MOSFET）為例予以說明:MOS場效應管的鋁柵覆蓋在SiO2膜上，并蓋住整個溝道，由于硅氧化膜絕緣性能好，使器件的輸入阻抗高達1012Ω以上，當鋁柵上出現靜電荷時，SiO2薄膜的高阻抗使其無從泄漏，于是就積聚在鋁柵上。此時鋁柵和SiO2膜以及半導體溝道三者相當于一個平板電容器，且SiO2膜的厚度僅有103A，其耐壓值僅為80~100V，而場效應管輸入電容值只有3pF，即使是微量的電荷也會使電壓升高，當電壓超過100V時，會導致SiO2膜被擊穿，致使柵溝相通，器件受損。電壓擊穿時，往往是SiO2膜的個別點上在某一過電壓下出現網點擊穿，以后只要在較低的電壓下，即出現大片區(qū)域的雪崩式擊穿，造成永久性失效。有時高壓靜電會直接將芯片內引線損壞，使IC永久性失效。

靜電放電對靜電敏感器件的損害主要表現為：

• 硬擊穿。一次性造成整個器件的失效和損壞。

• 軟擊穿。造成器件的局部損傷，降低了器件的技術性能，而留下不易被人們發(fā)現的隱患，以致設備不能正常工作。軟擊穿帶來的危害有時比硬擊穿更危險，軟擊穿初期器件性能稍有下降，在使用過程中，隨著時間的推移，發(fā)展為元器件的永久性失效，并導致設備受損。

靜電導致器件失效的機理大致有下面兩個原因:因靜電電壓而造成的損害，主要有介質擊穿、表面擊穿和氣弧放電；因靜電功率而造成的損害，主要有熱二次擊穿、體積擊穿和金屬噴鍍熔融。

在生產中，人們又常把對靜電反應敏感的電子器件稱為靜電敏感器件（Static Sensitive Device，SSD）。這類電子器件主要是指超大規(guī)模集成電路，特別是金屬氧化膜半導體（MOS）器件